My i nasi partnerzy używamy plików cookie, aby zapewnić najlepszą obsługę użytkowników, w tym spersonalizować reklamy i treści. Dane dotyczące interakcji użytkownika z tą witryną i wyświetlanych reklam mogą być udostępniane firmom zajmującym się dostarczaniem i / lub personalizacją reklam w tej witrynie i innych miejscach w Internecie.

Porównaj 3 produktów

Close
Lexar NM610 1 TB SSD
Lexar NM610 1 TB
Close
Samsung 850 EVO MZ-75E1T0 SSD
Samsung 850 EVO MZ-75E1T0
Close
SanDisk Ultra 3D 500 GB SSD
SanDisk Ultra 3D 500 GB
Recenzje redakcyjne
1
1 recenzji redakcyjnych
Lexar's NM610 is built using a Silicon Motion SM2263XT controller, paired with Intel 3D TLC flash. The pseudo-SLC cache is rather large at 128 GB, which ensures big write bursts get handled at full speed. Pricing at $155 for a DRAM-less SSD seems a bit high, though.Zobacz więcej
Przeczytaj recenzje redakcyjne
2
2 recenzji redakcyjnych
3D stacked memory comes to the mainstreamZobacz więcej
Samsung today announced the 2TB capacity of its popular solid-state drive (SSD), the 850 Evo, making it one of the top SSDs on the market with the best combination of performance, features, capacity and price. Here's CNET's full review.Zobacz więcej
Przeczytaj recenzje redakcyjne
6
3.8 z 5
5 ocen użytkowników
5 gwiazdek
20 %
4 gwiazdek
40 %
3 gwiazdek
40 %
2 gwiazdek
0 %
1 gwiazdek
0 %
Przeczytaj recenzje redakcyjne
Ocena użytkownika
3
4.0 z 5
3 ocen użytkowników
5 gwiazdek
0 %
4 gwiazdek
100 %
3 gwiazdek
0 %
2 gwiazdek
0 %
1 gwiazdek
0 %
39
4.3 z 5
39 ocen użytkowników
5 gwiazdek
48 %
4 gwiazdek
33 %
3 gwiazdek
17 %
2 gwiazdek
0 %
1 gwiazdek
0 %
30
4.2 z 5
30 ocen użytkowników
5 gwiazdek
40 %
4 gwiazdek
40 %
3 gwiazdek
16 %
2 gwiazdek
3 %
1 gwiazdek
0 %

Ogólne

Pojemność1 TB1 TB500 GB

Wymiary

Wysokość2.25 mm6.8 mm7.0 mm
Szerokość22.0 mm69.85 mm69.95 mm
Głębokość80.0 mm100.0 mm100.5 mm
Waga9.0 g55.0 g53.3 g

Projekt

Współczynnik kształtuM.22.5"2.5"
Wibracje robocze20
b.d.
5
Kolor produktu
b.d.
CzarnyCzarny

Występ

Odczyt losowy 4KB188000 IOPS10000 IOPS95000 IOPS
Losowy zapis 4KB156000 IOPS10000 IOPS84000 IOPS
Wytrzymałość500 TB150 TB200 TB
Szybkość pisania1600.0 Mbps520.0 Mbps530.0 Mbps
Typ pamięci3D TLCMLC
b.d.
Czytaj prędkość2100.0 Mbps540.0 Mbps560.0 Mbps
Prędkość przesyłu danych
b.d.
6.0 GB/s6.0 GB/s

Łączność

BerłoPCI Express 3.0Serial ATA IIISerial ATA III

Moc

Min. Temperatura robocza0 °C0 °C0 °C
Maksymalna temperatura pracy70 °C70 °C70 °C
Pobór mocy (średni)
b.d.
2.7 W
b.d.
Pobór mocy (bezczynny)
b.d.
0.05 W
b.d.
Pobór mocy (zapis)
b.d.
4.4 W
b.d.
Pobór mocy (odczyt)
b.d.
3.7 W
b.d.

Często porównywane z Samsung 850 EVO MZ-75E1T0